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日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3
日立IGBT模塊MBN1800F33F-C3$n北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件$n3300V IGBT模塊MBN1500E33C
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日立IGBT模塊MBN1500E33C
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日立IGBT模塊MBN800E33D-P
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日立IGBT模塊MBL400E33D
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供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2
供應(yīng)日立IGBT模塊41A296305ECP2 北京京誠(chéng)宏泰科技 ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT，雙/橋臂式IGBT，斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開(kāi)關(guān)低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點(diǎn)。
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日立IGBT模塊MBN1200E17D
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
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