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富士IGBT模塊7MBI40N-120

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

  • 產(chǎn)品型號(hào)：7MBI40N-120
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
  • 更新時(shí)間：2024-01-19
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北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品銷(xiāo)售富士7單元IGBT模塊7MBI40N-120

Features
· High Speed Switching
· Voltage Drive
· Low Inductance Module Structure
· Dynamic Brake Circuit

日本fuji富士 IGBT 模塊7單元600V系列：
7MBI100SA-0607MBI150SA-0607MBI200SA-0607MBI150U2E-060
7MBI200U2E-0607MBI75SA1207MBI100SA1207MBI100UE120
7MBI75N-0607MBI100N-0607MBI40N-1207MBI50N-120
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